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化合物半导体抛光晶片亚表面损伤的反射差分谱测试方法

标 准 号： GB/T 26070-2010
替代情况：
发布单位： 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会
起草单位： 中国科学院半导体研究所
发布日期： 2011-01-10
实施日期： 2011-10-01
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更新日期： 2025年02月25日
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内容摘要

本标准规定了Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体单晶抛光片亚表面损伤的测试方法。
本标准适用于GaAs、InP(GaP、GaSb可参照进行)等化合物半导体单晶抛光片亚表面损伤的测量。

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